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扩散硅压力变送器采用进口芯片,经过精心的结构设计,信号处理和组装,并按照国家标准和企业标准,进行测试而生产出来的新一代测量元件。AO910系列扩散硅压力变送器 采用的高精度高稳定传感器,配以ASIS高性能放大电路,经过数千次疲劳冲击,高,低温循环老化及精密的数字温度补偿工艺,再经过不锈钢全封焊(激光焊接)精制而成。
高质量的传感器,严格的校验工艺,及完善的装配工艺确保了AO910系列扩散硅压力变送器的优异品质。
系列扩散硅压力变送器工作原理:利用半导体的压阻效应和微机械加工技术,在单晶硅片的特定晶向上,用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥,形成敏感膜片,当受到外力作用时产生微应变,电阻率发生变化,使桥臂电阻发生变化(一对变大一对变小)在激励电压信号输出,经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺,生产出具有标准输出信号的压力变送器。
一般应变式传感器输出仅为10mv左右,而扩散硅传感器满量程输出为100mv左右,干扰及噪声等因素影响相对较小,放大电路成本也相应降低,分辨率大大提高。零压力附近无死区。
扩散硅压阻式压力传感器实现了压力受感,压力传递力一电转换由同一元件上实现,无中间转换环节,无压力滞后,无机械位移变形,保证了极小的重复性和迟滞误差,和良好的线性度,无蠕变、稳定、可靠、寿命长。
由于采用了激光调阻,计算机补偿等先进技术和巧妙控制扩散浓度,实现满量程温度漂移(灵敏度温度系数)自补偿。克服了半导体晶片本身温度系数大的缺陷,使变送器的零位和满度温漂达到了较高的水准,拓宽了使用温区。
扩散硅压力传感器,变送器具有低电流,低电压,低功耗的特点,属于本质安全防爆型产品,并已取得了国家安全防爆机构颁发的防爆证书。
产品由于采用了不锈钢材质与特殊防护结构,和放大电路的防雷击、抗干扰、抗过压、过流等一系列保护手段,提高了可靠的密封防腐和抗恶劣工作环境的能力,*适合一般工业现场测量和控制的需要。
使用对象:液体、气体或蒸汽
测量范围
表压: 0~5KPa~3.5MPa , 密封表压:0~7MPa~100MPa
绝压: 0~20KPa~35MPa , 负压:-0.1MPa~2MPa
输 出:4~20mADC
电 源:12~36VDC
负载特性:4~20mADC二线制
温度范围:-40℃~+ 85℃
外壳防护:优于IP65
防爆类型:隔爆型dⅡCT6; 本安型iaⅡCT6应外配安全栅
综合精度:精度等级:0.1%、0.2%
稳 定 性:优于±0.25%FS/3年
温度影响:
-10℃~+ 60℃范围内: 变化量小于±0.1%/ 10℃(0.1级)
变化量小于±0.15%/ 10℃(0.2级)
-30℃~ -10℃范围内和60℃~+ 85℃范围内: 变化量小于±0.15%/ 10℃(0.1级)
变化量小于±0.20%/ 10℃(0.2级)
振动影响: 在任何方向上振动频率为20-200Hz时,变化量小于±0.02% BFSL
冲击影响: 任何方向100G冲击11ms后,变化量小于±0.02% BFSL
负载影响: 只要输入变送器的端子电压高于12V,就无负载影响。
位置影响: 安装位置不影响零点